Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IRFSL4227PBF

IRFSL4227PBF

MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
Numărul piesei
IRFSL4227PBF
Producator/Marca
Serie
HEXFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-262
Disiparea puterii (max.)
330W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 14387 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IRFSL4227PBF
IRFSL4227PBF Componente electronice
IRFSL4227PBF Vânzări
IRFSL4227PBF Furnizor
IRFSL4227PBF Distribuitor
IRFSL4227PBF Tabel de date
IRFSL4227PBF Fotografii
IRFSL4227PBF Preț
IRFSL4227PBF Oferi
IRFSL4227PBF Cel mai mic pret
IRFSL4227PBF Căutare
IRFSL4227PBF Achizitie
IRFSL4227PBF Chip