Buy Infineon Technologies IRF7702GTRPBF MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

IRF7702GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP

Numărul piesei

IRF7702GTRPBF

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-TSSOP

Disiparea puterii (max.)

1.5W (Ta)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3470pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 42468 PCS

Informații de contact