Buy Infineon Technologies IRF6892STR1PBF MOSFET N-CH 25V 28A S3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IRF6892STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 28A S3

Numărul piesei

IRF6892STR1PBF

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

DirectFET™ Isometric S3C

Pachetul dispozitivului furnizorului

DIRECTFET™ S3C

Disiparea puterii (max.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

25V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

28A (Ta), 125A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 50µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2510pF @ 13V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 11329 PCS

Informații de contact