Buy Infineon Technologies IRF6775MTR1PBF MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IRF6775MTR1PBF

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

Numărul piesei

IRF6775MTR1PBF

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

DirectFET™ Isometric MZ

Pachetul dispozitivului furnizorului

DIRECTFET™ MZ

Disiparea puterii (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

150V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4.9A (Ta), 28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1411pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 42885 PCS

Informații de contact