Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IRF6710S2TR1PBF

IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Numărul piesei
IRF6710S2TR1PBF
Producator/Marca
Serie
HEXFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Digi-Reel®
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
DirectFET™ Isometric S1
Pachetul dispozitivului furnizorului
DIRECTFET S1
Disiparea puterii (max.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
12A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 13V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 48367 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IRF6710S2TR1PBF
IRF6710S2TR1PBF Componente electronice
IRF6710S2TR1PBF Vânzări
IRF6710S2TR1PBF Furnizor
IRF6710S2TR1PBF Distribuitor
IRF6710S2TR1PBF Tabel de date
IRF6710S2TR1PBF Fotografii
IRF6710S2TR1PBF Preț
IRF6710S2TR1PBF Oferi
IRF6710S2TR1PBF Cel mai mic pret
IRF6710S2TR1PBF Căutare
IRF6710S2TR1PBF Achizitie
IRF6710S2TR1PBF Chip