Buy Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

Numărul piesei

IRF6710S2TR1PBF

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

DirectFET™ Isometric S1

Pachetul dispozitivului furnizorului

DIRECTFET S1

Disiparea puterii (max.)

1.8W (Ta), 15W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

25V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

12A (Ta), 37A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 13V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 48367 PCS

Informații de contact