Buy Infineon Technologies IRF5305LPBF MOSFET P-CH 55V 31A TO-262

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IRF5305LPBF

MOSFET P-CH 55V 31A TO-262

Numărul piesei

IRF5305LPBF

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-262

Disiparea puterii (max.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

55V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

31A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 38243 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB