Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IRF5305LPBF

IRF5305LPBF

MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
Numărul piesei
IRF5305LPBF
Producator/Marca
Serie
HEXFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-262
Disiparea puterii (max.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 38243 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IRF5305LPBF
IRF5305LPBF Componente electronice
IRF5305LPBF Vânzări
IRF5305LPBF Furnizor
IRF5305LPBF Distribuitor
IRF5305LPBF Tabel de date
IRF5305LPBF Fotografii
IRF5305LPBF Preț
IRF5305LPBF Oferi
IRF5305LPBF Cel mai mic pret
IRF5305LPBF Căutare
IRF5305LPBF Achizitie
IRF5305LPBF Chip