Buy Infineon Technologies IPW65R150CFDFKSA1 MOSFET N-CH 650V TO247

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IPW65R150CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V TO247

Numărul piesei

IPW65R150CFDFKSA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-247-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-TO247-3

Disiparea puterii (max.)

195.3W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

22.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 900µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 100V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 5813 PCS

Informații de contact