Buy Infineon Technologies IPW60R180P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IPW60R180P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3

Numărul piesei

IPW60R180P7XKSA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-247-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-TO247-3

Disiparea puterii (max.)

72W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 280µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1081pF @ 400V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 33152 PCS

Informații de contact