Buy Infineon Technologies IPL60R105P7AUMA1 MOSFET N-CH 4VSON

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IPL60R105P7AUMA1

MOSFET N-CH 4VSON

Numărul piesei

IPL60R105P7AUMA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

4-PowerTSFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-VSON-4

Disiparea puterii (max.)

137W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

33A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 530µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1952pF @ 400V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 39162 PCS

Informații de contact