Buy Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA2 MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

IPB65R045C7ATMA2

MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

Numărul piesei

IPB65R045C7ATMA2

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Stare piese

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-TO263-3

Disiparea puterii (max.)

227W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

46A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 24.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1.25mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 400V

Vgs (Max)

±20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 46137 PCS

Informații de contact