Buy Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1 MOSFET N-CH TO263-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IPB60R080P7ATMA1

MOSFET N-CH TO263-3

Numărul piesei

IPB60R080P7ATMA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

D²PAK (TO-263AB)

Disiparea puterii (max.)

129W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

37A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 590µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 400V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 34200 PCS

Informații de contact