Buy Infineon Technologies IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

IPB083N15N5LFATMA1

MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Numărul piesei

IPB083N15N5LFATMA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

D²PAK (TO-263AB)

Disiparea puterii (max.)

179W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

150V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

105A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.9V @ 134µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 75V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 50565 PCS

Informații de contact