Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
AUIRF7343QTR

AUIRF7343QTR

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Numărul piesei
AUIRF7343QTR
Producator/Marca
Serie
HEXFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Putere - Max
2W
Pachetul dispozitivului furnizorului
8-SO
Tip FET
N and P-Channel
Caracteristica FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 8547 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale AUIRF7343QTR
AUIRF7343QTR Componente electronice
AUIRF7343QTR Vânzări
AUIRF7343QTR Furnizor
AUIRF7343QTR Distribuitor
AUIRF7343QTR Tabel de date
AUIRF7343QTR Fotografii
AUIRF7343QTR Preț
AUIRF7343QTR Oferi
AUIRF7343QTR Cel mai mic pret
AUIRF7343QTR Căutare
AUIRF7343QTR Achizitie
AUIRF7343QTR Chip