Buy Infineon Technologies AUIRF7343QTR MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

AUIRF7343QTR

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

Numărul piesei

AUIRF7343QTR

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Putere - Max

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Tip FET

N and P-Channel

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

55V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4.7A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 8547 PCS

Informații de contact