Buy Infineon Technologies AUIRF3710ZS MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

AUIRF3710ZS

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Numărul piesei

AUIRF3710ZS

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

D2PAK

Disiparea puterii (max.)

160W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

59A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 49135 PCS

Informații de contact