Buy GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 TRANS SJT 1200V 15A

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

GA05JT12-263

TRANS SJT 1200V 15A

Numărul piesei

GA05JT12-263

Producator/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Temperatura de Operare

175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Pachetul dispozitivului furnizorului

D2PAK (7-Lead)

Disiparea puterii (max.)

106W (Tc)

Tip FET

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

Vgs (Max)

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 53607 PCS

Informații de contact