Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Numărul piesei
EPC2107ENGRT
Producator/Marca
Serie
eGaN®
Stare piese
Active
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Temperatura de Operare
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
9-VFBGA
Putere - Max
-
Pachetul dispozitivului furnizorului
9-BGA (1.35x1.35)
Tip FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caracteristica FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 26269 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT Componente electronice
EPC2107ENGRT Vânzări
EPC2107ENGRT Furnizor
EPC2107ENGRT Distribuitor
EPC2107ENGRT Tabel de date
EPC2107ENGRT Fotografii
EPC2107ENGRT Preț
EPC2107ENGRT Oferi
EPC2107ENGRT Cel mai mic pret
EPC2107ENGRT Căutare
EPC2107ENGRT Achizitie
EPC2107ENGRT Chip