Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
EPC2050ENGRT
TRANS GAN 350V BUMPED DIE
Numărul piesei
EPC2050ENGRT
Producator/Marca
Serie
eGaN®
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de Operare
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
Die
Pachetul dispozitivului furnizorului
Die Outline (12-Solder Bar)
Disiparea puterii (max.)
-
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
350V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.5mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
505pF @ 280V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 34624 PCS
Informații de contact
produse asemanatoare
Cuvinte cheie ale EPC2050ENGRT
EPC2050ENGRT Componente electronice
EPC2050ENGRT Vânzări
EPC2050ENGRT Furnizor
EPC2050ENGRT Distribuitor
EPC2050ENGRT Tabel de date
EPC2050ENGRT Fotografii
EPC2050ENGRT Preț
EPC2050ENGRT Oferi
EPC2050ENGRT Cel mai mic pret
EPC2050ENGRT Căutare
EPC2050ENGRT Achizitie
EPC2050ENGRT Chip