Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
EPC2049ENGRT
TRANS GAN 40V BUMPED DIE
Numărul piesei
EPC2049ENGRT
Producator/Marca
Serie
eGaN®
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de Operare
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
Die
Pachetul dispozitivului furnizorului
Die
Disiparea puterii (max.)
-
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 6mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.6nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
805pF @ 20V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 21086 PCS
Informații de contact
produse asemanatoare
Cuvinte cheie ale EPC2049ENGRT
EPC2049ENGRT Componente electronice
EPC2049ENGRT Vânzări
EPC2049ENGRT Furnizor
EPC2049ENGRT Distribuitor
EPC2049ENGRT Tabel de date
EPC2049ENGRT Fotografii
EPC2049ENGRT Preț
EPC2049ENGRT Oferi
EPC2049ENGRT Cel mai mic pret
EPC2049ENGRT Căutare
EPC2049ENGRT Achizitie
EPC2049ENGRT Chip