Buy Diodes Incorporated DMN1019USN-7 MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

DMN1019USN-7

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Numărul piesei

DMN1019USN-7

Producator/Marca

Diodes Incorporated

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

SC-59

Disiparea puterii (max.)

680mW (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

9.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

50.6nC @ 8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2426pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.2V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 11064 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3