Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
C2M0160120D

C2M0160120D

MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Numărul piesei
C2M0160120D
Producator/Marca
Serie
Z-FET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247-3
Disiparea puterii (max.)
125W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32.6nC @ 20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
527pF @ 800V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 19190 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale C2M0160120D
C2M0160120D Componente electronice
C2M0160120D Vânzări
C2M0160120D Furnizor
C2M0160120D Distribuitor
C2M0160120D Tabel de date
C2M0160120D Fotografii
C2M0160120D Preț
C2M0160120D Oferi
C2M0160120D Cel mai mic pret
C2M0160120D Căutare
C2M0160120D Achizitie
C2M0160120D Chip