onsemi (Ansemi)
Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
NRVBS410LT3G 10V 4A 350mV@8A Schottky diodePower rectifier, 4.0 A, 10 V

NRVBS410LT3G

10V 4A 350mV@8A Schottky diodePower rectifier, 4.0 A, 10 V
Numărul piesei
NRVBS410LT3G
Categorie
diode > Schottky diode
Producator/Marca
onsemi (Ansemi)
Încapsulare
SMC (DO-214AB)
Ambalare
taping
Numarul de pachete
2500
Descriere
The device uses the principle of Schottky diode potential barrier and adopts large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. Ideal for low voltage, high frequency rectification, or as a freewheeling and polarity protection diode in applications where compact size and weight are critical to the system. Typical applications are AC-DC and DC-DC, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 99224 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale NRVBS410LT3G
NRVBS410LT3G Componente electronice
NRVBS410LT3G Vânzări
NRVBS410LT3G Furnizor
NRVBS410LT3G Distribuitor
NRVBS410LT3G Tabel de date
NRVBS410LT3G Fotografii
NRVBS410LT3G Preț
NRVBS410LT3G Oferi
NRVBS410LT3G Cel mai mic pret
NRVBS410LT3G Căutare
NRVBS410LT3G Achizitie
NRVBS410LT3G Chip