onsemi (Ansemi)
Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
NCP5109BDR2G Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High and Low Side, 200 V

NCP5109BDR2G

Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High and Low Side, 200 V
Numărul piesei
NCP5109BDR2G
Categorie
Power Chip > Gate Driver IC
Producator/Marca
onsemi (Ansemi)
Încapsulare
SOIC-8
Ambalare
taping
Numarul de pachete
2500
Descriere
The NCP5109 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 81488 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale NCP5109BDR2G
NCP5109BDR2G Componente electronice
NCP5109BDR2G Vânzări
NCP5109BDR2G Furnizor
NCP5109BDR2G Distribuitor
NCP5109BDR2G Tabel de date
NCP5109BDR2G Fotografii
NCP5109BDR2G Preț
NCP5109BDR2G Oferi
NCP5109BDR2G Cel mai mic pret
NCP5109BDR2G Căutare
NCP5109BDR2G Achizitie
NCP5109BDR2G Chip