Imaginea poate fi reprezentativă. Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
NCP5109BDR2G
Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High and Low Side, 200 V
Numărul piesei
NCP5109BDR2G
Categorie
Power Chip > Gate Driver IC
Producator/Marca
onsemi (Ansemi)
Încapsulare
SOIC-8
Ambalare
taping
Numarul de pachete
2500
Descriere
The NCP5109 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.