onsemi (Ansemi)
Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
NCP5106BDR2G Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side

NCP5106BDR2G

Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
Numărul piesei
NCP5106BDR2G
Categorie
Power Chip > Gate Driver IC
Producator/Marca
onsemi (Ansemi)
Încapsulare
SOIC-8-150mil
Ambalare
taping
Numarul de pachete
2500
Descriere
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 75348 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale NCP5106BDR2G
NCP5106BDR2G Componente electronice
NCP5106BDR2G Vânzări
NCP5106BDR2G Furnizor
NCP5106BDR2G Distribuitor
NCP5106BDR2G Tabel de date
NCP5106BDR2G Fotografii
NCP5106BDR2G Preț
NCP5106BDR2G Oferi
NCP5106BDR2G Cel mai mic pret
NCP5106BDR2G Căutare
NCP5106BDR2G Achizitie
NCP5106BDR2G Chip