Triode/MOS tube/transistor/module
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Producătorii
N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 150A, RDON on-resistance 2.4mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
Descriere
CET (Huarui)
Producătorii
N-channel, 25V, 60A, 9mΩ@10V
Descriere
onsemi (Ansemi)
Producătorii
N-Channel, PowerTrench MOSFET, 60V, 80 A, 3.8 mΩ
Descriere
onsemi (Ansemi)
Producătorii
LRC (Leshan Radio)
Producătorii
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
Descriere
DIODES (US and Taiwan)
Producătorii
onsemi (Ansemi)
Producătorii
VBsemi (Wei Bi)
Producătorii
LRC (Leshan Radio)
Producătorii
onsemi (Ansemi)
Producătorii
PUOLOP (Dipu)
Producătorii
APM (Jonway Microelectronics)
Producătorii
VBsemi (Wei Bi)
Producătorii
TWGMC (Taiwan Dijia)
Producătorii
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 120@50mA,1V
Descriere
Potens (Bosheng Semiconductor)
Producătorii
P-channel, -30V, -7A
Descriere
Wuxi Unisplendour
Producătorii
ST (STMicroelectronics)
Producătorii
onsemi (Ansemi)
Producătorii